陕西省西安市滨河学校2024-2025-1单元学情调查（收心）八年级开学考试化学答案

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16.(16分)晶胞是晶体中重复出现的最基本的结构单元，整块晶体可看作是数量巨大的晶胞“无隙并置”而成的，研究晶体必先研究晶胞。⊕S@Sn●ZnCu图1(1)某含Cu、Zn、Sn及S的四元半导体化合物是一种低价、无污染的绿色环保型光伏材料，可应用于薄膜太阳能电池领域。其晶胞结构如图1所示。该晶胞中含有的S原子有个，距离Sn原子最近且等距离的S原子有个。(2)由A和B两种元素组成的化合物的立方晶胞结构特征：A位于晶胞的顶点和面心，B位于棱心和体心。则推测该化合物的化学式为，图2中的(填字母)是从该晶胞中分割出来的结构。已知该晶胞参数为anm,设N为阿伏加德罗常数的值，则该晶体的密度为(用Mg·mol1,Mg·mol1分别表示A和B的摩尔质量)g·cm3图2(3)某晶体由镁、铝、氧三种元素组成，若将其晶胞按图3方式切成8个体积相同的小立方体，Mg+、A13+和OP在小立方体中的分布如图4、图5所示。●Mg20A13+002BB图3图4图5①该晶体中三种元素属于p区的是(填元素符号)，三种元素形成的简单离子半径由大到小的顺序为(用元素符号表示)。②该晶体的化学式为③已知该晶胞参数为anm,则晶胞中两个Mg2+之间的最短距离为cm。17.(14分)化学材料助力科技成果的转化与应用。高纯硅是现代信息、半导体和光伏发电等产业都需要的基础材料。工业上提纯硅有多种路线，其中一种制备原理的主要反应如下：①S0,+2C商温si(粗)+2C0+②Si(粗)+3HC1△-SiHCl+H③SiHCL,+H,商温si(纯)+3HCl回答下列问题：(1)反应①中反应物C过量会生成SiC,生成SiC的反应的化学方程式为(2)反应②中所涉及的元素的电负性由大到小的顺序为（用元素符号表示）。(3)SiHC是一种无色液体，熔点为一126.5℃，沸点为33℃，能溶于苯、氯仿和二硫化碳。SiHCI属于晶体，SiHC的空间结构为